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【三星:下一代闪存将采用双层堆叠,有望实现256层】在昨日举行的投资者论坛上,全球存储芯片龙头厂商三星电子透露,它将在其未来的NAND闪存芯片中采用“双层堆叠”(Double-stack Technology)技术,并且有可能开发256层设备。(全球半导体观察)

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